성장용 기판, 이를 이용한 발광 다이오드 및 질화갈륨 발광다이오드의 제조방법

이동선, 공득조, 강창모,이준엽, 서동주

KR patent, Application No.1020130130811, Registration No.1015230840000, 2015

다중 접합 구조를 가지는 발광 다이오드 및 이의 형성방법

이동선, 공득조, 강창모

KR patent, Application No.1020130089287, Registration No.1014901740000, 2015(기술이전)

발광다이오드 및 이의 제조방법

이동선, 공득조, 강창모, 이준엽

KR patent, Application No.1020140034951, Registration No. 1014528010000, 2014 (기술이전)

습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법

이동선, 공득조, 이준엽, 강창모

KR patent, Application No. 15123165416, Registration No. 1014716210000, 2014

나노로드를 포함하는 질화물계 발광다이오드 및 이의 제조방법

이동선, 공득조, 배시영

KR patent, Application No.020130067099, Registration No. 1014716080000, 2014 (기술이전)